（獨家）台積竹科6吋、8吋廠重生大計 自製祕密武器呼之欲出
- 陳玉娟／台北
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台積電日前宣布2年內逐步退出氮化鎵（GaN）代工業務，位於竹科的6吋晶圓廠（Fab 2）相關產線，則會停止生產。此前，業界也盛傳台積電的3座8吋廠（Fab 3/5/8）廠將進行整合，估會釋出逾2~3成人力，調派至南科、高雄廠區支援，解決缺人問題，以及成本撙節與活化資產。
然據半導體設備業者透露，針對重整後的6吋與8吋廠，台積電已有最新規劃，前者暫定改建為面板級封裝相關的CoPoS廠區，後者則是出乎意料，將正式投入自製EUV光罩護膜（Pellicle），不需再高度仰賴ASML等供應鏈。
這意味著，台積電可透過自身研發與生產能力，全面提升EUV先進製程良率，創造最低成本、最高效益的製程和產品，除了能再拉開與對手的差距，自製EUV Pellicle也為設備與材料供應鏈，帶來新應用商機。
台積加速推進2奈米以下先進製程，與CoWoS等先進封裝技術，2025年初以來，也持續調整與活化現有晶圓廠區，除將機器設備出售予世界先進與恩智浦（NXP）在新加坡成立的合資公司VSMC，總價預估介於7,100萬~7,300萬美元，接著也將竹科6吋廠與8吋廠進一步整併。
熟悉設備供應鏈業者表示，台積退出GaN市場，凸顯中國低價戰已對第三類半導體發展，造成極大競爭壓力，6吋廠也將改建為先進封裝廠，暫以CoPoS為主，而最受關注的就是竹科8吋廠大幅調整，其中，Fab 3將正式投入自製EUV Pellicle。
半導體設備業界人士則指出，台積過去10年來大舉逐年擴大資本支出，重金挺進下世代先進製程節點，以拉開與對手群的差距，台積目的已實現，先進製程戰局已是「一個人的武林」，但隨之而來的，是摩爾定律也已面臨物理極限。
儘管導入EUV設備能有所突破，但採購成本高昂，目前EUV設備約在1.5億美元，最新的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備價格則飆上3.5億美元，且掌握在ASML手中。考量先進製程的成本大幅提高下，這也讓台積電放緩High-NA EUV設備採購，同時評估其他可提升EUV製程良率、降低成本的路徑。
其中，台積研發EUV Pellicle多年，盛傳竹科3廠將正式投入自製EUV Pellicle，減少對ASML相關供應鏈的依賴，以自身研發與生產能力，全面提升EUV先進製程良率，創造最低成本、最高效益的製程和產品。
設備業者指出，EUV機台相較傳統的深紫外光（DUV）設備，光罩及Pellicle等都須進一步調整，Pellicle一直是半導體製程中防止塵粒汙染的關鍵保護機制。
進入EUV微影世代後，過去廣泛使用的有機Pellicle，因無法兼具透光率與穩定性，已不適用，目前EUV製程大多採用「無pellicle」的光罩，導致必須頻繁進行圖樣檢查。一旦發現缺陷，不僅需修復或重製光罩，生產成本也大增並降低速度，也因此，包括ASML等半導體業者近年也投入EUV Pellicle研發，但由於技術難度高，尚未實現量產。
而台積電則已研發多年，評估EUV Pellicle對於7奈米以下製程生產效率與成本降低極為重要，因此近期決定正式加速自製計畫。
熟悉半導體製程技術人士認為，相較於競爭對手仍高度依賴ASML的EUV設備推進先進製程技術，台積電自製EUV Pellicle，可將現有EUV製程再優化，拉升了生產良率與擴大產能，在成本結構上取得優勢，且提升獲利，進一步擴大與對手群的差距，
由於台積對於天價EUV新機設備的採購急迫性大減，此策略對於ASML恐怕不是好消息。不過，EUV Pellicle專利仍待進一步釐清確認，另對設備材料供應鏈而言，EUV Pellicle自製有機會帶動新一代建置商機。
至截稿前，台積電發言體系並沒有對於供應鏈說法的正式公開回應。
責任編輯：何致中
